超高密度成型：超高密度成型工艺（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。 晶粒定向控制：晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向，提升溅射薄膜的质量和性能，满足高端应用领域的需求。
物理化学性能 物理性质： 密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。 导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。 化学性质： 常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。
靶材原料（占比约 60%）： 用于制备 ITO（氧化铟锡）靶材，生产 LCD、OLED 显示面板的透明导电膜（如手机屏幕、电视面板）。 光伏领域：作为 CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池的关键原料，提升光电转换效率。
半导体与电子工业（占比约 25%）： 焊料与封装：利用铟的低熔点和延展性，作为半导体芯片的焊接材料（如倒装焊、热沉连接），可适应精密器件的高温稳定性需求。 化合物半导体：与镓、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探测器（如红外成像器件）。